H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63CFR-PBA 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63AFR-PBI 제조: SK hynix 및 H5TC4G63CFR-PBA 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5TC4G63AFR-PBI | H5TC4G63CFR-PBA |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | Obsolete | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $6.23 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| 데이터 속도 | DDR3-1600 (PC3L-12800) | — |
| 공급 전압 | 1.35 V | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| CAS 레이턴시 | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| 동작 온도 범위 | -40°C to +95°C | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Density | — | 4Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V +0.100/-0.067V |
| Clock Input | — | Fully differential (CK, CK) |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS) |
| On-chip DLL | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |