H5TC4G63MFR-PBA vs MT41K256M16HA-125 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5TC4G63MFR-PBA от SK hynix и MT41K256M16HA-125 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ Активен
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5TC4G63MFR-PBA MT41K256M16HA-125
Бренд SK hynix Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,50 $6,36
Тип памяти DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
Организация памяти 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (+0.100V/-0.067V) —
Скорость передачи данных 1866 Mbps (PC3L-14900) —
Корпус 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Number of Banks 8 —
Burst Length BL8, BL4 (with burst chop) —
CAS Latency (CL) Programmable —
CAS Write Latency (CWL) Programmable —
Additive Latency Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Temperature-Compensated Self-Refresh Yes —
Process Technology 30nm-class —
RoHS Compliant Yes (Lead-Free & Halogen-Free) —
Размер памяти — 4Gbit (256M x 16)
Разрядность шины данных — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Напряжение питания — 1.35 V
Количество выводов — 96
Тип монтажа — Surface Mount
Рабочая температура — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C
Задержка CAS — 11

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену