IAUC60N10S5L110ATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUC60N10S5L110ATMA1 от Infineon и IPB024N10N5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPB024N10N5ATMA1 IPB024N10N5ATMA1 - 100V 2.4mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB024N10N5ATMA1 - 100V 2.4mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB024N10N5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUC60N10S5L110ATMA1 IPB024N10N5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,66 $1,86
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™-5 —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) 60 A —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) 88 W —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V 11 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 1.2 V —
Корпус PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 Single) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: min/max operating temperature] -55C to +175C (junction)
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) [DATA_NEEDED: Qg at specified Vgs] —
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Lead-Free / RoHS Yes (RoHS compliant per LCSC listing) —
Packing Code ATMA1 (Tape & Reel) —
Уровень MSL 1 (per LCSC datasheet snippet) 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Без галогенов Yes (per Infineon product classification) Yes (per Infineon product family policy)
Customer Info / FGR J52 (per Infineon product data) —
Technology — OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Статус RoHS — Compliant
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену