IAUC64N08S5L075ATMA1 vs IAUZ40N08S5N100ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUC64N08S5L075ATMA1 от Infineon и IAUZ40N08S5N100ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 - 80V 7.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 ✓ АктивенInfineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IAUC64N08S5L075ATMA1 | IAUZ40N08S5N100ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,58 | $0,71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IAUC64N08S5L075ATMA1 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 | OptiMOS-5 N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 64 A (TJ-limited) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 7.5 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 75 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55 °C to +175 °C | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Уровень MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Количество выводов | 8 | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 68 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 24.2 nC @ VGS=10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 1591 pF @ VDS=40 V |
| Gate-Source Voltage VGS max | — | ±20 V |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |