IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7L009ATMA1 от Infineon и IAUC60N04S6L030HATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 - 40V 275A 0.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 ✓ АктивенInfineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IAUCN04S7L009ATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,96 | $0,94 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7L009ATMA1 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench-gate) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) | 275 A (Tj) | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) | 175 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) | 129 W | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 0.91 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 (per part number suffix) |
| Уровень MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55 C to +175 C |