IAUCN04S7N006TATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7N006TATMA1 от Infineon и IAUCN04S7N037GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,66 $0,89
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_j) 425 A —
Power Dissipation (P_D, T_C) 205 W —
R_DS(on) (typ, V_GS=10V) 0.63 mΩ —
Technology OptiMOS 7 (shielded-gate trench) Trench MOSFET, N-Channel
Корпус PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: Tj min/max] [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V] —
Automotive Grade Yes (Infineon automotive MOSFET line) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Automotive Qualification — AEC-Q101
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену