IAUCN04S7N027GATMA1 vs IAUCN04S7L028ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7N027GATMA1 от Infineon и IAUCN04S7L028ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUCN04S7N027GATMA1 - 40V 117A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET SSO4G 5x6
IAUCN04S7N027GATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IAUCN04S7N027GATMA1 | IAUCN04S7L028ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,72 | $0,88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 117 A | — |
| On-Resistance (Rds(on) max) | 2.67 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) | 70 W (Tc) | — |
| Корпус / Типоразмер | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive | — |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL] | — |
| Substrate Compatibility | IMS substrates and legacy FR-4 | — |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 100 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 2.80 mOhm at VGS=10 V |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported) |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 1.8 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | 24 nC at VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.578 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 788 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 36 pF |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | — | 58 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55 C to +175 C |
| Корпус | — | PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |