IAUCN08S7L110ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN08S7L110ATMA1 от Infineon и IAUCN08S7L033ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,46 $0,86
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) 50 A —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 58 W —
R<sub>DS(on)</sub> (typ., V<sub>GS</sub>=10 V) 11 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max [DATA_NEEDED: V_GS_max] —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: V_GS_th] —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) [DATA_NEEDED: Q_G_total] —
Рабочая температура перехода -55 °C to +175 °C —
Корпус PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ (Trench) OptiMOS 7 trench MOSFET
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Статус RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101 expected per family) —
Polarity Single N-Channel —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Диапазон рабочих температур — -55°C to +175°C (TJ)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену