IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUCN08S7N024TATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN10S5L110TATMA1 от Infineon и IAUCN08S7N024TATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN08S7N024TATMA1 - 80V 2.44mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N024TATMA1 - 80V 2.44mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N024TATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN08S7N024TATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,08 $2,45
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 7
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
Рабочая температура перехода -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Корпус PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL MSL1 (260°C peak reflow) —
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification AEC-Q101
Статус RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 165 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 157 W
Rds(on) Max at Vgs=10V — 2.44 mOhm
Корпус / Типоразмер — PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²)
Cooling — Top-side cooled
Диапазон рабочих температур — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typ]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену