IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUZ18N10S5L420ATMA1 от Infineon и IAUC120N06S5L015ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ АктивенInfineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IAUZ18N10S5L420ATMA1 | IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,48 | $0,92 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 100V | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V to 2.7 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | 8.5 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55 °C to +175 °C | — |
| Корпус | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount (exposed pad) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Technology | OptiMOS 5 trench | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 235 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 88 nC |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 167 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +175C (Tj) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | — | VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Typical Application | — | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives |