IAUZ30N08S5N186ATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUZ30N08S5N186ATMA1 от Infineon и IAUZ18N10S5L420ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUZ30N08S5N186ATMA1 - 80V 18.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ30N08S5N186ATMA1 ✓ АктивенInfineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IAUZ30N08S5N186ATMA1 | IAUZ18N10S5L420ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,48 | $0,48 |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) | OptiMOS 5 trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 30 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 41 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 1.7 V to 2.7 V |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +175 °C (automotive) | — |
| Корпус | PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 100V |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | — | 8.5 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55 °C to +175 °C |
| Configuration | — | Single with built-in diode |