IDD04SG60CXTMA2 vs IDH04G65C6XKSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IDD04SG60CXTMA2 от Infineon и IDH04G65C6XKSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IDD04SG60CXTMA2 IDD04SG60CXTMA2 - 600V 4A SiC Schottky Diode DPAK | Infineon

IDD04SG60CXTMA2 - 600V 4A SiC Schottky Diode DPAK | Infineon

IDD04SG60CXTMA2 ✓ Активен
Infineon
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 - 650V SiC Schottky Diode 4A | Infineon

IDH04G65C6XKSA1 - 650V SiC Schottky Diode 4A | Infineon

IDH04G65C6XKSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IDD04SG60CXTMA2 IDH04G65C6XKSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Diodes Diodes
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,74 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolSiC G3 thinQ Schottky Diode —
Device Type Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Single —
Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) 600 V 650 V
Continuous Forward Current (IF), TC=135 C 4 A —
Non-Repetitive Forward Surge Current (IFSM), tp=10ms [DATA_NEEDED: IFSM surge rating] —
Forward Voltage (VF) typ. at IF=4A, Tj=25 C 1.5 V —
Total Capacitive Charge (Qc) 4.5 nC [DATA_NEEDED: Qc value]
Total Capacitance (Ctot) at VR=400V [DATA_NEEDED: Ctot at 400 V] —
Reverse Current (IR) at VR=600V, Tj=25 C [DATA_NEEDED: IR max at 600 V] —
Диапазон рабочей температуры перехода -55 C to +175 C -55C to +175C
Storage Temperature Range -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: Tstg min/max]
Корпус PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin surface mount with tab —
Тип монтажа Surface Mount Through Hole
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Finish Yes (Sn plating) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) —
Без галогенов Yes —
Diode Type — Silicon Carbide (SiC) Schottky
Series — CoolSiC G6
Average Forward Current (IF(AV)) — 4 A
Non-Repetitive Peak Surge Current (IFSM) — 12 A (per distributor listing)
Forward Voltage (VF) at IF — 1.25 V (typical at rated IF)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 0 nC (SiC Schottky - no reverse recovery)
Junction Capacitance (Cj) — 205 pF @ 1 V, 1 MHz (per onepcba listing)
Package / Supplier Device Package — PG-TO220-2 (through-hole)
Configuration — Single Diode

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену