IGD06N60TATMA1 vs IGD08N120S7ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IGD06N60TATMA1 от Infineon и IGD08N120S7ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 ✓ Активен
Infineon
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IGD06N60TATMA1 IGD08N120S7ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Transistors IGBTs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,62 $1,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series TRENCHSTOP IGBT3 —
IGBT Type Trench Field Stop —
Collector-Emitter Voltage (VCE) 600 V —
Continuous Collector Current (IC) at TC=25°C 12 A —
Continuous Collector Current (IC) at TC=100°C 6 A —
Maximum Pulsed Collector Current (ICM) 18 A (per datasheet) —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 88 W —
Gate-Emitter Voltage (VGE) ±20 V —
VCE(sat) at IC=6A, VGE=15V, Tj=25°C 1.5 V (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) 3.0 V min / 5.0 V max (typical 4.0 V) —
Turn-on Switching Energy (Eon) [DATA_NEEDED: Eon] —
Turn-off Switching Energy (Eoff) [DATA_NEEDED: Eoff] —
Integrated Diode Yes, soft-recovery emitter-controlled diode —
Рабочая температура перехода -40 °C to +175 °C -40C to +175C (industry grade)
Storage Temperature -55 °C to +150 °C —
Корпус PG-TO252-3-11 (DPAK / TO-252) PG-TO252-3 (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — IGBT 7 (S7) Trench Field Stop
Collector-Emitter Voltage (Vce max) — 1200 V
Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) — 24 A
Pulsed Collector Current (Icm) — [DATA_NEEDED: pulsed collector current]
Total Power Dissipation (Ptot) — 106 W
Gate-Emitter Voltage (Vge max) — [DATA_NEEDED: Vge max]
VCE(sat) at rated Ic — 1.65 V
Co-packaged Diode — Yes (anti-parallel emitter diode)
Technology — Trench Field Stop, 7th generation
Configuration — Single

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену