IPB019N08N3GATMA1 vs IRF3007STRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPB019N08N3GATMA1 от Infineon и IRF3007STRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 - 80V 180A 1.9mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPB019N08N3GATMA1 - 80V 180A 1.9mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPB019N08N3GATMA1 ✓ Активен
Infineon
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF - 75V N-Channel MOSFET, 62A, D2PAK | Infineon

IRF3007STRLPBF - 75V N-Channel MOSFET, 62A, D2PAK | Infineon

IRF3007STRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPB019N08N3GATMA1 IRF3007STRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,74 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 180 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 3.5 V —
Drive Voltage (Rds On Max) 6 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V 206 nC —
Input Capacitance (Ciss) 14.2 nF —
Output Capacitance (Coss) 3.84 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 3.84 nF —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C —
Корпус PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant (Lead-Free, PBF suffix)
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C — 62 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 250 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 12.6 mΩ typical at VGS=10V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 110 nC typical
Maximum Power Dissipation (Pd) — 120 W at Tc=25°C
Рабочая температура перехода — -55°C to +175°C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.0 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 40 °C/W
Package Type — D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount
Avalanche Rated — Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену