IPB072N15N3GATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPB072N15N3GATMA1 от Infineon и IPB038N12N3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 - 120V 120A 3.8mOhm N-Ch OptiMOS | Infineon

IPB038N12N3GATMA1 - 120V 120A 3.8mOhm N-Ch OptiMOS | Infineon

IPB038N12N3GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPB072N15N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,84 $1,78
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) OptiMOS trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 150 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 300 W —
R_DS(on) typical at VGS=10V 7.2 mOhm —
R_DS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (V_GS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V] —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C -55C to +175C (junction)
Корпус PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse E_AS) —
Intrinsic Body Diode Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable) —
Manufacturer Ordering Code Suffix GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 120V
Drain-Source Voltage (Vdss) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 120 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 300 W
On-State Resistance (Rds(on)) — 3.8 mOhm (typical)
Корпус / Типоразмер — PG-TO263-3 (D2PAK)
Gate Drive — Logic-level compatible
Standard Package Quantity — 1000 (Tape & Reel)
Avalanche Rated — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену