IPD028N06NF2SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD028N06NF2SATMA1 от Infineon и BSC076N04NDATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPD028N06NF2SATMA1 - 60V 139A 2.85mΩ OptiMOS N-MOSFET | Infineon
IPD028N06NF2SATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IPD028N06NF2SATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,62 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD028N06NF2SATMA1 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 60V | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 60 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 139 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 2.85 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 150 W | — |
| Диапазон рабочей температуры перехода | -55 C to +175 C | — |
| Корпус | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 3 (Gate, Drain-tab, Source) | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| Рабочая температура перехода | — | -55 C to +175 C |
| Корпус / Типоразмер | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |