IPD038N06N3GATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD038N06N3GATMA1 от Infineon и IPD65R380E6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPD038N06N3GATMA1 - 60V 90A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPD038N06N3GATMA1 ✓ АктивенInfineon
IPD65R380E6ATMA1 - 650V CoolMOS E6 MOSFET 380mΩ 10.6A | Infineon
IPD65R380E6ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPD038N06N3GATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,65 | $0,65 |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Series | OptiMOS 60V | CoolMOS™ E6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (typ) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.8 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 °C to +150 °C |
| Корпус | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | 1 | 1 |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Без галогенов | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | Superjunction (CoolMOS™) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |