IPD038N06NF2SATMA1 vs IPC90N04S5L3R3ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD038N06NF2SATMA1 от Infineon и IPC90N04S5L3R3ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD038N06NF2SATMA1 IPD038N06NF2SATMA1 - 60V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPD038N06NF2SATMA1 - 60V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPD038N06NF2SATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPC90N04S5L3R3ATMA1 IPC90N04S5L3R3ATMA1 - 40V 90A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPC90N04S5L3R3ATMA1 - 40V 90A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPC90N04S5L3R3ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD038N06NF2SATMA1 IPC90N04S5L3R3ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,95 $0,96
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology OptiMOS (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A 90 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 3.85 mΩ max —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Typical Gate Charge (Qg) at VGS=10V 68 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6700 pF —
Output Capacitance (Coss) 670 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 43 pF —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 107 W —
Рабочая температура перехода -55°C to +175°C -55°C to +175°C
Корпус PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant —
Channel Mode Enhancement —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 40V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.3 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.7 V to 2.7 V (logic level)
Total Power Dissipation (TC=25°C) — 62 W
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temp range]
MSL Moisture Sensitivity — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Peak Reflow Temperature — 260°C
Qualification — AEC-Q101 automotive qualified
Avalanche Tested — 100% (production-level)
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену