IPD50R399CPATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD50R399CPATMA1 от Infineon и IPD50N06S409ATMA2 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IPD50R399CPATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,89 | $0,49 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS CP | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 500 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 9 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 83 W | — |
| On-Resistance (R_DS(on), typ) | 0.399 ohm | — |
| Корпус | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS CP (superjunction) | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Число выводов | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (2 + Tab) |
| Lead Free / RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Configuration | Single | — |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Datasheet Series | IPD50R399CP | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |