IPD60N10S412ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD60N10S412ATMA1 от Infineon и IPD50N06S409ATMA2 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPD60N10S412ATMA1 - 100V 60A N-Channel MOSFET | Infineon | Auto
IPD60N10S412ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPD60N10S412ATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,82 | $0,49 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD60N10S412ATMA1 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 60 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 94 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 12.2 mOhm | — |
| Рабочая температура перехода | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C |
| Корпус | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 3 (2 + Tab) | 3 (2 + Tab) |
| Уровень MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (Automotive Grade) | — |
| Статус RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| Без галогенов | Yes (per Infineon definition) | — |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |