IPD60R360P7SAUMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD60R360P7SAUMA1 от Infineon и IPD80R600P7ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IPD60R360P7SAUMA1 | IPD80R600P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,65 | $0,92 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | CoolMOS P7 super-junction |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 9 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 41 W | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.0 V to 4.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Корпус / Типоразмер | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Количество выводов | 3 | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 8 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 22 A |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 600 mΩ at VGS=10V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 60 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3 V (typical) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | — | 20 mJ |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | — | 0.17 mJ |
| Корпус | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Polarity | — | N-Channel |