IPD65R380E6ATMA1 vs IPD65R225C7ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD65R380E6ATMA1 от Infineon и IPD65R225C7ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPD65R380E6ATMA1 - 650V CoolMOS E6 MOSFET 380mΩ 10.6A | Infineon
IPD65R380E6ATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IPD65R380E6ATMA1 | IPD65R225C7ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,65 | $1,34 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ E6 | CoolMOS C7 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Superjunction (CoolMOS™) | Super-junction (SJ) / CoolMOS |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 10.6 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 380 mΩ | — |
| R_DS(on) test conditions | 3.2 A, 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.5 V typ | — |
| Gate Charge (Q_G) | 39 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 710 pF at 100 V | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 83 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +150 °C | -55°C to +150°C |
| Корпус | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 11 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 63 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 225 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Количество выводов | — | 3 (2 + tab) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |