IPD70R1K4P7SAUMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD70R1K4P7SAUMA1 от Infineon и IPD60R280P7SAUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 ✓ Активен
Infineon
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,52 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family CoolMOS P7 (700V Superjunction) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID 1.4 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 4 V max @ ID = 190 µA
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 23 W —
Рабочая температура перехода -55C to +150C —
Корпус PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel
Avalanche Energy Rated Yes (100% avalanche tested) —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 12 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 280 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) — 53 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -40 °C to +150 °C
Уровень MSL — 1
Series — CoolMOS P7 (7th generation, 600 V)
Integrated ESD Protection — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену