IPD80R600P7ATMA1 vs IPD60R600C6ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD80R600P7ATMA1 от Infineon и IPD60R600C6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IPD80R600P7ATMA1 | IPD60R600C6ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,92 | $0,92 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +150 C | -55 °C to +150 °C |
| Корпус | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | CoolMOS C6 (Superjunction) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS C6 |
| Part Suffix | — | ATMA1 (Tape & Reel) |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 7.3 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 600 mΩ |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C | — | 63 W |
| Количество выводов | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Статус RoHS | — | Compliant |