IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N10S4L35ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPG20N06S2L65AATMA1 от Infineon и IPG20N10S4L35ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IPG20N06S2L65AATMA1 | IPG20N10S4L35ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,78 | $0,66 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | OptiMOS™, Automotive |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | 2 N-Channel (Dual) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55 C to +175 C | 175°C max junction |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Уровень MSL | MSL1 (peak reflow 260 C) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Статус RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| Part Number | — | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C | — | 20 A |
| R<sub>DS(on)</sub> Max | — | 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 43 W |
| Корпус / Типоразмер | — | PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |