IPL60R065P7AUMA1 vs IPD60R600P7ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPL60R065P7AUMA1 от Infineon и IPD60R600P7ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 - 600V 65mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R065P7AUMA1 - 600V 65mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R065P7AUMA1 ✓ Активен
Infineon
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPL60R065P7AUMA1 IPD60R600P7ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,18 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology Family CoolMOS™ P7 (superjunction) —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) 41 A —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 65 mΩ (max) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) 201 W —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 3.5 V —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=400 V) 2895 pF —
Rise Time (t<sub>r</sub>) 7 ns —
Fall Time (t<sub>f</sub>) 4 ns —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +150 °C (T<sub>j</sub>) -55C to +150C (TJ)
Корпус PG-VSON-4 (surface mount with exposed pad) —
Количество выводов 4 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Polarity Single N-channel —
Drain to Source Voltage 650 V (rating per AiEMA spec) —
R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10 V, T<sub>j</sub>=25 °C) 0.053 Ω —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Без галогенов Yes —
Part Number — IPD60R600P7ATMA1
Series — CoolMOS P7
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Technology — Superjunction (SJ) / CoolMOS
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 6 A
On-Resistance (RDS(on)) — 490 mOhm (max)
Power Dissipation (PD, TC) — 30 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Корпус / Типоразмер — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Generation — CoolMOS 7th generation (P7, successor to P6)
Ordering Code Suffix — ATMA1 = Tape & Reel, 13-inch

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену