IPL60R125P7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPL60R125P7AUMA1 от Infineon и IPL60R105P7AUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPL60R125P7AUMA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,95 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 27 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 125 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | 36 nC | — |
| Total Gate Charge Qg (typ) | 36 nC | — |
| Output Capacitance Coss (typ) | [DATA_NEEDED: Coss value] | — |
| Reverse Recovery Charge Qrr | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | [DATA_NEEDED: tr/tf] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th), typ | 3.5 V | — |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| Рабочая температура перехода | -55 C to +150 C | — |
| Корпус | ThinPAK 8x8 (4-pin + exposed pad) | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Pin Configuration | Drain Pin 5, Gate Pin 1, Power Source Pin 3-4, Driver Source Pin 2 | — |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +150C |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Без галогенов | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |