IPLU300N04S41R1XTMA1 vs IAUC100N04S6N015ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPLU300N04S41R1XTMA1 от Infineon и IAUC100N04S6N015ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPLU300N04S41R1XTMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1 - 40V 300A 1.15mΩ Automotive MOSFET | Infineon

IPLU300N04S41R1XTMA1 - 40V 300A 1.15mΩ Automotive MOSFET | Infineon

IPLU300N04S41R1XTMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPLU300N04S41R1XTMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,45 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPLU300N04S41R1XTMA1 —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS (Trench MOSFET) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 300 A —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 300 W —
R<sub>DS(on)</sub> Max (V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=100 A) 1.15 mΩ —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 151 nC —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=25 V) 12,090 pF —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
Рабочая температура перехода 175 °C —
Peak Reflow Temperature (AEC-Q) 260 °C —
Корпус PG-HSOF-8-1 (8-PowerSFN, surface mount) PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS Compliance Yes (Green Product) Compliant
Lead-Free Yes (100% lead-free) Yes
Configuration Single with built-in diode —
Packing Tape & Reel (TR) —
Product Family — OptiMOS-6 40V
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) — 100 A
Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) — 100 W
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Диапазон рабочих температур — -55 C to +175 C (junction, typical)
Уровень MSL — 1 (unlimited floor life)
Automotive Qualification — AEC-Q101

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену