IPTC054N15NM5ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPTC054N15NM5ATMA1 от Infineon и ISC015N06NM5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPTC054N15NM5ATMA1 IPTC054N15NM5ATMA1 - 150V 143A 5.4mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPTC054N15NM5ATMA1 - 150V 143A 5.4mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPTC054N15NM5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPTC054N15NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,52 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 (IPT family) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 17.5 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 143 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 250 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A 5.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) typical 58 nC —
Forward Body Diode Voltage (VSD) 0.83 V —
Рабочая температура перехода -55 °C to +175 °C —
Корпус PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Тип монтажа Surface Mount (top-side cooled) Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Диапазон рабочих температур — -55 C to +175 C
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 5)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену