IPW60R037P7XKSA1 vs IPL60R065C7AUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPW60R037P7XKSA1 от Infineon и IPL60R065C7AUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ Активен
Infineon
IPL60R065C7AUMA1 IPL60R065C7AUMA1 - 600V CoolMOS C7 65mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IPL60R065C7AUMA1 - 600V CoolMOS C7 65mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IPL60R065C7AUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPW60R037P7XKSA1 IPL60R065C7AUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,55 $2,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ P7 CoolMOS C7
Тип транзистора N-Channel MOSFET (Superjunction) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) 76 A —
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) 37 mΩ —
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) 255 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 3.5 V —
Корпус PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) —
Тип монтажа Through Hole Surface Mount
Рабочая температура перехода -55 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) —
Orderable Part Number Suffix XKSA1 (tube packaging, industrial) —
Статус RoHS Compliant Compliant with Exemption
Avalanche Rated Yes —
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Process Technology — CoolMOS C7 (Superjunction)
Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 29 A
On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) — 65 mΩ
Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) — 180 W
Gate-Source Voltage (V_GS, max) — ±20 V
Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) — 3.5 V
Корпус / Типоразмер — PG-VSON-4-1 (Source-Down)
Диапазон рабочих температур — -55 °C to +150 °C (T_J)
Automotive Qualified (AEC-Q101) — No
Total Gate Charge (Q_G, typ.) — [DATA_NEEDED: Q_G typ. value]
Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) — [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену