IPW60R037P7XKSA1 vs IPL60R125P7AUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPW60R037P7XKSA1 от Infineon и IPL60R125P7AUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ Активен
Infineon
IPL60R125P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 MOSFET 125mΩ 27A | Infineon

IPL60R125P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 MOSFET 125mΩ 27A | Infineon

IPL60R125P7AUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPW60R037P7XKSA1 IPL60R125P7AUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,55 $1,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ P7 —
Тип транзистора N-Channel MOSFET (Superjunction) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) 76 A —
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) 37 mΩ —
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) 255 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 3.5 V —
Корпус PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) ThinPAK 8x8 (4-pin + exposed pad)
Тип монтажа Through Hole Surface Mount
Рабочая температура перехода -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Orderable Part Number Suffix XKSA1 (tube packaging, industrial) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Product Family — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 27 A
On-State Resistance RDS(on) max — 125 mOhm
Gate Charge (Qg, typ) — 36 nC
Total Gate Charge Qg (typ) — 36 nC
Output Capacitance Coss (typ) — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr]
Rise Time / Fall Time (tr/tf) — [DATA_NEEDED: tr/tf]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Gate Threshold Voltage VGS(th), typ — 3.5 V
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]
Уровень чувствительности к влаге (MSL) — MSL 2 (per JEDEC J-STD-020)
Pin Configuration — Drain Pin 5, Gate Pin 1, Power Source Pin 3-4, Driver Source Pin 2

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену