IPW60R037P7XKSA1 vs IPL60R125P7AUMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPW60R037P7XKSA1 제조: Infineon 및 IPL60R125P7AUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPW60R037P7XKSA1 | IPL60R125P7AUMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.55 | $1.95 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ P7 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET (Superjunction) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | 76 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | 37 mΩ | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | 255 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | 3.5 V | — |
| 패키지 | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) | ThinPAK 8x8 (4-pin + exposed pad) |
| 실장 유형 | Through Hole | Surface Mount |
| 동작 접합 온도 | -55 °C to +150 °C | -55 C to +150 C |
| Technology | CoolMOS Superjunction (SJ) | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET |
| Orderable Part Number Suffix | XKSA1 (tube packaging, industrial) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Product Family | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 27 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 125 mOhm |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 36 nC |
| Total Gate Charge Qg (typ) | — | 36 nC |
| Output Capacitance Coss (typ) | — | [DATA_NEEDED: Coss value] |
| Reverse Recovery Charge Qrr | — | [DATA_NEEDED: Qrr] |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | — | [DATA_NEEDED: tr/tf] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V (max) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th), typ | — | 3.5 V |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS] |
| 습도 민감도 레벨 (MSL) | — | MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) |
| Pin Configuration | — | Drain Pin 5, Gate Pin 1, Power Source Pin 3-4, Driver Source Pin 2 |