IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQDH88N06LM5CGSCATMA1 от Infineon и IQDH35N03LM5SCATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,31 | $2,05 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | 42 A | — |
| Непрерывный ток стока (TC=25°C) | 447 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | 0.86 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 3 W | — |
| Рассеиваемая мощность (TC=25°C) | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge Qg typical | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] | — |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +175°C (TJ) | -55 C to +175 C |
| Корпус | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 9 (with exposed pad) | — |
| Cooling | Dual-side cooling capable | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |