IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQDH88N06LM5CGSCATMA1 제조: Infineon 및 IQDH35N03LM5SCATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.31 | $2.05 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | 42 A | — |
| 연속 드레인 전류 (TC=25°C) | 447 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | 0.86 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 3 W | — |
| 전력 손실 (TC=25°C) | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge Qg typical | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] | — |
| 동작 온도 범위 | -55°C to +175°C (TJ) | -55 C to +175 C |
| 패키지 | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 9 (with exposed pad) | — |
| Cooling | Dual-side cooling capable | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |