IQE020N04LM6CGATMA1 vs ISK057N04LM6ATLA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IQE020N04LM6CGATMA1 от Infineon и ISK057N04LM6ATLA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IQE020N04LM6CGATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISK057N04LM6ATLA1 ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IQE020N04LM6CGATMA1 ISK057N04LM6ATLA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,75 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 OptiMOS 6
Тип транзистора N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 166 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 107 W —
On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V 2.0 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
Корпус PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C -55 °C to +150 °C
Technology OptiMOS 6, TrenchFET-class Trench (OptiMOS 6)
Configuration Single N-Channel, source-down —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max]
RDS(on) typical at VGS=10V — 5.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg total) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 39.1 W
Корпус / Типоразмер — PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2)
Packaging — Tape & Reel (TR)
DigiKey Part Number — 448-ISK057N04LM6ATLA1TR-ND

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену