IQE036N08NM6CGATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQE036N08NM6CGATMA1 от Infineon и IQE018N06NM6CGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IQE036N08NM6CGATMA1 | IQE018N06NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,82 | $1,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 60V |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 118 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 16.7 A | — |
| Rds(on) max at Vgs=10V | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V (max) | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +175 C (junction, Tj) | -55C to +175C (junction) |
| Корпус | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| Configuration | Single N-channel, Source-Down | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 178 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 25 A |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | — | 1.8 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.3 V (logic-level compatible) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 125 W |
| RoHS Compliance | — | Compliant |