IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQE065N10NM5CGSCATMA1 от Infineon и IQE220N15NM5CGSCATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ АктивенInfineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IQE065N10NM5CGSCATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,28 | $2,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 13 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 6.5 mOhm | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 4.6 V |
| Корпус | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | OptiMOS 5, Source-Down |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +150 C | -55C to +150C (junction) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |