IQE220N15NM5CGATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQE220N15NM5CGATMA1 от Infineon и IQE220N15NM5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQE220N15NM5CGATMA1 - 150V 44A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IQE220N15NM5CGATMA1 | IQE220N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,55 | $0,84 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | 44 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | [DATA_NEEDED: ID at Ta] | 7 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | 22 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Корпус | PG-TTFN-9-3 (Source-Down) | PG-TSON-8-5 (Source-Down) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C (estimated from Tj max) | — |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 5 | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Число выводов | 9 (TTFN) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 22 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V (typ at 46 µA) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 14.4 nC at 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 14 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 340 pF |
| Выходная конфигурация | — | Single N-Channel |
| Рабочая температура | — | -55C to +150C (junction) |