IRF3007STRLPBF vs IRFB4110PBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF3007STRLPBF от Infineon и IRFB4110PBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF - 75V N-Channel MOSFET, 62A, D2PAK | Infineon

IRF3007STRLPBF - 75V N-Channel MOSFET, 62A, D2PAK | Infineon

IRF3007STRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRFB4110PBF IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF3007STRLPBF IRFB4110PBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,92 $1,55
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C 62 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 250 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 12.6 mΩ typical at VGS=10V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 110 nC typical —
Maximum Power Dissipation (Pd) 120 W at Tc=25°C —
Рабочая температура перехода -55°C to +175°C -55 °C to +175 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.0 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 40 °C/W —
Package Type D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount —
Тип монтажа Surface Mount Through Hole
Статус RoHS Compliant (Lead-Free, PBF suffix) Compliant (Pb-free suffix)
Avalanche Rated Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax) —
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Корпус — TO-220AB (through-hole)
Technology — HEXFET (planar DMOS)
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену