IRF3007STRLPBF vs IRFH5015TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRF3007STRLPBF от Infineon и IRFH5015TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRF3007STRLPBF | IRFH5015TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,92 | $0,62 |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C | 62 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 250 A | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 12.6 mΩ typical at VGS=10V | — |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 110 nC typical | 33 nC |
| Maximum Power Dissipation (Pd) | 120 W at Tc=25°C | — |
| Рабочая температура перехода | -55°C to +175°C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | 1.0 °C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) | 40 °C/W | — |
| Package Type | D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant (Lead-Free, PBF suffix) | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 56 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 31 mOhm |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 156 W |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | — | 10 V |
| Корпус | — | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| Рабочая температура | — | -55C to +150C (TJ max) |