IRF3205ZSTRLPBF vs IRFB3207ZPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF3205ZSTRLPBF от Infineon и IRFB3207ZPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF - 55V 110A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205ZSTRLPBF - 55V 110A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205ZSTRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF3205ZSTRLPBF IRFB3207ZPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,45 $1,62
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 110 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6.5 mOhm 4.1 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 76 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
Рабочая температура перехода -55C to +175C -55 C to +175 C
Корпус D2PAK (TO-263) TO-220AB (3-lead through-hole)
Тип монтажа Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (left reel) —
Статус RoHS Compliant —
Уровень MSL 1 N/A (through-hole)
Body Diode Avalanche-rated intrinsic —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену