IRF4905SPBF vs BSZ15DC02KDHXTMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF4905SPBF от Infineon и BSZ15DC02KDHXTMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF4905SPBF IRF4905SPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 42A D2PAK | Infineon

IRF4905SPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 42A D2PAK | Infineon

IRF4905SPBF ✓ Активен
Infineon
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon

BSZ15DC02KDHXTMA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon

BSZ15DC02KDHXTMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF4905SPBF BSZ15DC02KDHXTMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,18 $0,74
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm @ VGS = -10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 170 W —
Рабочая температура перехода -55 C to +150 C -55 C to +175 C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] —
Корпус D2PAK (TO-263) surface mount PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm, 8-pin with exposed pad)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET, planar cell OptiMOS™2 (N-ch) + OptiMOS™-P2 (P-ch)
Total Gate Charge (Qg) 120 nC (typical per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Статус RoHS Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) —
Qualification JEDEC standard —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ15DC02KDHXTMA1
Тип транзистора — N-Channel + P-Channel (complementary pair)
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 5.1 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 3.2 A
N-Channel RDS(on) Max — [DATA_NEEDED: N-ch RDS(on) value in mohm]
P-Channel RDS(on) Max — 55 mOhm (per Infineon part summary)
Gate Drive Level — Super Logic level, 2.5 V rated
Configuration — Common drain (back-to-back source pair)
Total Package Power Dissipation (PD) — 2.5 W @ 25 C (per DigiKey listing)
Avalanche Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — Yes / RoHS compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену