IRF520NPBF vs IRF540NSTRLPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRF520NPBF от Infineon и IRF540NSTRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRF520NPBF | IRF540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,66 | $0,74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | HEXFET | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | 9.7 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 200 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 16.7 nC | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | 48 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| Корпус | TO-220AB (through-hole) | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Тип монтажа | Through Hole | Surface Mount |
| Уровень MSL | 1 (unlimited) | — |
| Статус RoHS | Compliant (Pb-free) | Compliant (Pb-free) |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Technology | HEXFET (vertical DMOS) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 110 A (per datasheet pulse curve) |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | — | 44 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 47.3 nC (typical) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 130 W |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized) |