IRF5210PBF vs IRFZ44NPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF5210PBF от Infineon и IRFZ44NPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF5210PBF IRF5210PBF - -100V P-Channel 40A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF5210PBF - -100V P-Channel 40A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF5210PBF ✓ Активен
Infineon
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFZ44NPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFZ44NPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF5210PBF IRFZ44NPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,82 $0,65
Тип транзистора P-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) -100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc -40 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) -2 V to -4 V (typical -2 V) —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 60 milliohms —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 42 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc 200 W —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C (junction) —
Корпус TO-220AB (through-hole) TO-220AB (3-pin + tab)
Тип монтажа Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Fifth Generation) HEXFET (Advanced Process)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
Tab Connection Electrically tied to Drain —
Pin Configuration Gate / Drain (tab) / Source (G-D-S, front view) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 17.5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
Рабочая температура перехода — -55C to +175C
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену