IRF7105TRPBF vs FDS6575 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF7105TRPBF от Infineon и FDS6575 от onsemi. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF - Dual N+P HEXFET MOSFET, 25V, 8-SO | Infineon

IRF7105TRPBF - Dual N+P HEXFET MOSFET, 25V, 8-SO | Infineon

IRF7105TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF7105TRPBF FDS6575
Бренд Infineon onsemi
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,30 $0,28
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Series IRF7105 (HEXFET Fifth Generation) —
Polarity / Configuration N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 25 V —
Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) 3.5 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) 2.3 A —
Rds(on) Maximum 100 mOhm —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) PowerTrench (rugged gate)
Корпус 8-SO (SOIC-8) SOIC-8 (SO-8)
Total Package Power Dissipation (Pd) 2 W —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: junction temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Packaging Form Tape & Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Status Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant —
Число выводов 8 —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) — -10 A
On-Resistance (RDS(on)) — 13 mOhm max at VGS = -4.5 V
Gate Drive Voltage Range — 2.5 V to 8 V
Пороговое напряжение затвора — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: power dissipation at TA]
Configuration — Single MOSFET
Gate Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену