IRF7309TRPBF vs IRF7832TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF7309TRPBF от Infineon и IRF7832TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF - Dual N/P MOSFET Array 30V 4A/3A SO-8 | Infineon

IRF7309TRPBF - Dual N/P MOSFET Array 30V 4A/3A SO-8 | Infineon

IRF7309TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET, 20A, SO-8 | Infineon

IRF7832TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET, 20A, SO-8 | Infineon

IRF7832TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF7309TRPBF IRF7832TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,35 $0,92
Configuration Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) —
Polarity N+P —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) 4 A —
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) 3 A —
On-Resistance (N-channel, max) 50 mOhm —
On-Resistance (P-channel, max) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] —
Power Dissipation (TA=25C) 1.4 W —
Technology IR HEXFET Generation V HEXFET (trench MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (TJ) -55 C to +150 C (TJ)
Корпус 8-SO (SOIC-8) 8-SO (SOIC-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Status Yes (TRPBF suffix = Pb-free) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7832TRPBF
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical — 1.0 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 34 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену