IRF7342TRPBF vs IRF7205TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF7342TRPBF от Infineon и IRF7205TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF - 55V Dual P-Channel HEXFET MOSFET Array | Infineon

IRF7342TRPBF - 55V Dual P-Channel HEXFET MOSFET Array | Infineon

IRF7342TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF - P-Ch -30V -4.6A 70mΩ SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7205TRPBF - P-Ch -30V -4.6A 70mΩ SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7205TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF7342TRPBF IRF7205TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,48 $0,18
Part Number IRF7342TRPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel IR HEXFET (4th generation)
Configuration Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package) —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) -3.4 A at 25 C —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.105 ohm max at VGS = -10 V —
Maximum Power Dissumption (Pd) 2 W —
Диапазон рабочих температур -55 C to +150 C (Tj) —
Корпус 8-SOIC (SO-8), surface mount SO-8 (8-SO)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Channel Type P-Channel (enhancement mode) —
Number of Channels 2 (dual array) —
FET Type — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — -4.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 70 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — 130 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -3.0 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Рассеиваемая мощность (TC=25°C) — 2.5 W
Рабочая температура перехода — -55 °C to +150 °C
RoHS / Lead-Free — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену