IRF8736PBF vs IRF7832TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF8736PBF от Infineon и IRF7832TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF8736PBF IRF8736PBF - 30V 18A N-Channel HEXFET MOSFET SO-8 | Infineon

IRF8736PBF - 30V 18A N-Channel HEXFET MOSFET SO-8 | Infineon

IRF8736PBF ✓ Активен
Infineon
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET, 20A, SO-8 | Infineon

IRF7832TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET, 20A, SO-8 | Infineon

IRF7832TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF8736PBF IRF7832TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,45 $0,92
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=70°C [DATA_NEEDED: ID at TA=70°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 4.8 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 6.0 mΩ (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (optimized for 5 V drive) —
Total Gate Charge Qg 17 nC (typical) —
Maximum Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
Корпус SO-8 (8-SO) 8-SO (SOIC-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 (Unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / Lead-Free Lead-Free, RoHS3 Compliant —
Qualification Standard JEDEC —
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage and current) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7832TRPBF
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET (trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical — 1.0 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 34 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену