IRF9Z34NPBF vs IRFR5505TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF9Z34NPBF от Infineon и IRFR5505TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET, 19A, TO-220 | Infineon

IRF9Z34NPBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET, 19A, TO-220 | Infineon

IRF9Z34NPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF9Z34NPBF IRFR5505TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,65 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A —
Pulsed Drain Current (Idm) -72 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 100 milliohm (typical) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) 23.3 nC (per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] [DATA_NEEDED: Ciss]
Диапазон рабочих температур -55C to +175C (junction) —
Корпус TO-220AB (through-hole, 3-pin) TO-252AA (DPAK), surface mount
Тип монтажа Through Hole Surface Mount
Pinout (G-D-S) Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source —
Technology HEXFET (5th generation) IR MOSFET (HEXFET 5th generation)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PBF suffix) —
Статус RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Series — HEXFET
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -72 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 110 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 21.3 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 57 W
Рабочая температура перехода — -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 2.2 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену