IRFB4110PBF vs IRF540ZPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFB4110PBF от Infineon и IRF540ZPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFB4110PBF IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF ✓ Активен
Infineon
IRF540ZPBF IRF540ZPBF - 100V 36A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF540ZPBF - 100V 36A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF540ZPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFB4110PBF IRF540ZPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,55 $0,62
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
Рабочая температура перехода -55 °C to +175 °C —
Корпус TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3-lead)
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS)
Тип монтажа Through Hole Through Hole
Статус RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) Yes
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF540ZPBF
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 36 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 26.5 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 42 nC
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C — 92 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Диапазон рабочей температуры перехода — -55 C to +175 C
Число выводов — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualified — Yes (per datasheet description)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену